[发明专利]半导体器件结构有效
| 申请号： | 201610333688.4 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106169504B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | R·P·梅卡洛;J·德佩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种半导体器件结构，包括具有设置在其内的主动区的半导体衬底、栅极结构、虚拟栅极结构、设置在该主动区中用于形成源极和漏极区的二接触区。在该半导体衬底上形成该栅极结构和该虚拟栅极结构以便部分地覆盖该主动区，并且该二接触区的一者位于该虚拟栅极结构的一侧。该半导体器件结构包括接触该二接触区的一者和该虚拟栅极的接触结构，该接触结构用于将该接触区和该虚拟栅极连接到Vdd轨和Vss轨的其中一者。该主动区具有相对于其他接触区从该主动区侧向突出的延伸部，其中该接触结构位于该延伸部上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，具有设置在其内的主动区；栅极结构和虚拟栅极结构，其皆设在该半导体衬底上方，以便部分地覆盖该主动区；二接触区，设置在该主动区中，用于形成源极和漏极区，该二接触区的每一个位于该栅极结构的二相对侧的各自一侧，其中该二接触区的一者还位于该虚拟栅极结构的一侧；以及接触结构，接触该二接触区的该一者和该虚拟栅极结构，用于连接该二接触区的该一者和该虚拟栅极结构与Vdd轨和Vss轨中的一者；其中，在该主动区的俯视图中，该主动区具有相对于该二接触区的该一者从该主动区侧向突出的延伸部，且其中该接触结构位于该延伸部上方。
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