[发明专利]一种多芯平面光波导结构及其耦合结构

摘要

本发明涉及光波导耦合技术领域，提供了一种多芯平面光波导结构及其耦合结构。其中，多芯平面光波导结构包括所述平面光波导内包括用于传递光信号的二氧化硅主波导，以及辅助进光的副波导；所述副波导包括一个或者多个二氧化硅副波导，所述二氧化硅副波导与所述二氧化硅主波导按照预设中心距离设置。本发明实施例所提出的包括一个或者多个二氧化硅副波导的平面光波导结构能够完成激光器到PLC的被动对光和直接耦合，相比较现有技术能够提高对位容差；基于该对位容差的提高，能够进一步减轻自动化设备中对于工艺精度的要求，能够达到缩短对光和焊接时间，并进一步减少次品率，从而达到降低成本的目的。

主权项

一种多芯平面光波导结构，其特征在于，包括：所述平面光波导内包括用于传递光信号的二氧化硅主波导，以及辅助进光的副波导；所述副波导包括八条二氧化硅子副波导，所述二氧化硅子副波导与所述二氧化硅主波导按照预设中心距离设置；在所述八条二氧化硅子副波导中，第一子副波导位于所述二氧化硅主波导的上侧；第二子副波导位于所述二氧化硅主波导的下侧；第三子副波导位于所述二氧化硅主波导的左侧；第四子副波导位于所述二氧化硅主波导的右侧；第五子副波导位于所述二氧化硅主波导的左上侧，且位于所述第一子副波导左侧，位于所述第三子副波导上侧；第六子副波导位于所述二氧化硅主波导的右上侧，且位于所述第一子副波导左侧，位于所述第四子副波导上侧；第七子副波导位于所述二氧化硅主波导的左下侧，且位于所述第二子副波导左侧，位于所述第三子副波导下侧；第八子副波导位于所述二氧化硅主波导的右下侧，且位于所述第二子副波导右侧，位于所述第四子副波导下侧。