[发明专利]一种多芯平面光波导结构及其耦合结构

权利要求书

1.一种多芯平面光波导结构，其特征在于，包括：

所述平面光波导内包括用于传递光信号的二氧化硅主波导，以及辅助进光的副波导；

所述副波导包括八条二氧化硅子副波导，所述二氧化硅子副波导与所述二氧化硅主波导按照预设中心距离设置；

在所述八条二氧化硅子副波导中，第一子副波导位于所述二氧化硅主波导的上侧；第二子副波导位于所述二氧化硅主波导的下侧；第三子副波导位于所述二氧化硅主波导的左侧；第四子副波导位于所述二氧化硅主波导的右侧；第五子副波导位于所述二氧化硅主波导的左上侧，且位于所述第一子副波导左侧，位于所述第三子副波导上侧；第六子副波导位于所述二氧化硅主波导的右上侧，且位于所述第一子副波导左侧，位于所述第四子副波导上侧；第七子副波导位于所述二氧化硅主波导的左下侧，且位于所述第二子副波导左侧，位于所述第三子副波导下侧；第八子副波导位于所述二氧化硅主波导的右下侧，且位于所述第二子副波导右侧，位于所述第四子副波导下侧。

2.根据权利要求1所述的多芯平面光波导结构，其特征在于，在选择的单模有源器件的中心波长为1310nm-1660nm，远场发射角为25°×40°时，所述主波导和副波导的参数具体为：

主波导进光口的宽度W_主＝3.0μm，高度H_主＝3.0μm；

副波导进光口的宽度W_副in＝2.6μm，高度H_副in＝3.0μm；

副波导梯底的宽度W_副out＝3.0μm，高度H_副out＝3.0μm；

副波导长度L_副＝100μm，主波导和副波导的中心距离Ay＝3.6μm。

3.根据权利要求1所述的多芯平面光波导结构，其特征在于，主波导和副波导在多芯平面光波导结构中，其各自芯层内外为折射率相近的包层，其相对折射率差为0.013。

4.根据权利要求1所述的多芯平面光波导结构，其特征在于，所述各子副波导具体为正梯体结构，并且连接梯顶和梯底的四个侧面均为斜面，其中梯顶与二氧化硅主波导的进光口位于所述多芯平面光波导的同侧。

5.一种多芯平面光波导耦合结构，其特征在于，包括如权利要求1-4任一所述结构的多芯平面光波导，则所述耦合结构还包括单模有源器件，具体的：

所述多芯平面光波导上位于所述二氧化硅主波导和二氧化硅副波导的进光侧设置有单模有源器件固定台；

所述固定台上设置有焊盘和对位标记，所述焊盘用于与所述单模有源器件上的相应焊盘完成焊接；所述对位标记用于为自动邦定机提供绑定焊点的寻址；

在所述耦合结构中，所述单模有源器件和所述二氧化硅主波导和二氧化硅副波导的进光口之间设置有耦合间隔空隙d，所述耦合间隔空隙中填充有用于折射率匹配的匹配胶。

6.根据权利要求5所述的耦合结构，其特征在于，由所述单模有源器件和多芯平面光波导构成的耦合结构具体包括EPON光模块、GPON光模块；数据通信中的高速单信道光模块SFP、SFP+；或者用于40G，100G光传输的并行模块QSFP、QSFP28。