[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201610325658.9 申请日: 2016-05-17
公开(公告)号: CN106169442A 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 小川雄辉;长冈健辅;小幡翼;伴祐人 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/683
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供晶片的加工方法,抑制晶片在搬送时破损并容易地校正激光光线的照射位置。晶片的加工方法具有保护带粘接步骤(ST1)、切削槽形成步骤(ST4)和分割步骤(ST5)。保护带粘接步骤中,将因外部刺激而硬化的保护带粘接在晶片的功能层的正面上。切削槽形成步骤中,通过切削刀具从晶片的基板的背面侧沿着分割预定线进行切削,形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽。在实施了切削槽形成步骤之后,在分割步骤(ST5)中,沿着切削槽照射对于基板具有吸收性的波长的激光光线,对残存部进行分割而将晶片分割成器件芯片。在切削槽形成步骤(ST4)中,在晶片的外周剩余区域内形成非加工部,该非加工部不形成切削槽。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在层叠于基板的正面上的功能层中形成有呈格子状形成的多条分割预定线、以及分别形成在由该分割预定线划分出的多个区域中的器件,并且该晶片具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区域,该晶片的加工方法具有如下的步骤:保护带粘接步骤,在功能层的正面上粘接因外部刺激而硬化的保护带;切削槽形成步骤,在实施了该保护带粘接步骤之后,通过切削刀具从基板的背面侧沿着分割预定线进行切削,形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽;以及分割步骤,在实施了该切削槽形成步骤之后,沿着该切削槽照射对于基板具有吸收性的波长的激光光线,对该残存部进行分割而将晶片分割成多个器件芯片,在该切削槽形成步骤中,在外周剩余区域残存出不形成切削槽的非加工部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610325658.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top