[发明专利]薄膜晶体管和显示装置的包括该薄膜晶体管的背板基板在审
| 申请号： | 201610323725.3 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN106158977A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴锦美;严惠先;杨仙英;李正仁 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括在基板上的栅电极。栅电极包括平坦部和在平坦部侧面的倾斜部。倾斜部的高度与宽度的比率(高度/宽度)为1.192或更小。该薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，其设置在基板上以覆盖栅电极；以及多晶硅有源层，其位于栅极绝缘层上并且在栅电极上方。该薄膜晶体管进一步包括分别连接至多晶硅有源层的两个相对的端部的源电极和漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 包括 背板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；在所述基板上的栅电极，所述栅电极包括平坦部和所述平坦部的侧面处的倾斜部，所述倾斜部的高度与宽度的比率，即高度/宽度，为1.192或更小；栅极绝缘层，其设置在所述基板上以覆盖所述栅电极；多晶硅有源层，其位于所述栅极绝缘层上并且在所述栅电极上方；以及分别连接至所述多晶硅有源层的两个相对的端部的源电极和漏电极。
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