[发明专利]用于热处理单元的校正方法有效
申请号: | 201610320253.6 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN106158623B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | S·穆热尔;D·马斯兰 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于热处理单元的校正方法。用于确定温度设定点修正值的校正方法,该修正值将应用到具有L个衬底位置的热处理单元的N个加热区中的每个的额定温度设定点,热处理单元和额定设定点限定了旨在建立衬底的目标特性的方法。该校正方法的特征在于,其包括以下步骤:建立敏感度模型,其将L个位置的M个代表性位置中的每个处的衬底特性变化联系到应用在N个加热区中的每个的温度设定点变化,这些变化分别反映相对于目标特性的差值以及相对于额定设定点的差值;基于额定设定点在热处理单元中执行工艺;至少在单元的每个加热区的代表性测量位置测量衬底特性,以提供M个测量值;根据敏感度模型、测量值以及目标衬底特性来确定温度设定点修正值。 | ||
搜索关键词: | 用于 热处理 单元 校正 方法 | ||
【主权项】:
一种用于确定温度设定点修正值的校正方法,所述温度设定点修正值将应用到具有L个衬底位置(5)的热处理单元(1)的N个加热区(2)中的每一个的额定温度设定点,所述热处理单元(1)和额定设定点限定了旨在建立衬底的目标特性的方法,所述校正方法的特征在于,其包括下列步骤:·建立敏感度模型,所述敏感度模型将L个位置(5)的M个代表性位置中的每一个位置处的衬底特性的变化联系到应用至N个加热区(2)中的每一个中的温度设定点变化,这些变化分别反映了相对于目标特性的差值以及相对于额定设定点的差值;·基于额定设定点在热处理单元(1)中执行工艺;·至少在单元(1)的每个加热区(2)的代表性的测量位置处测量衬底的特性,以提供M个测量值;·根据敏感度模型、测量值以及目标衬底特性来确定温度设定点修正值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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