[发明专利]用于降低绝缘栅双极晶体管中的集电极发射极电压过冲的方法和电路

摘要

提供了一种用于减小绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中的集电极‑发射极电压(V_CE)过冲的电路。电路包括可操作以生成具有与IGBT的集电极或发射极电流在IGBT的关闭期间开始下降的时刻同步的上升沿以及作为V_CE过冲的持续时间的一部分的宽度的脉冲的电路装置。电路装置还可操作以将脉冲与向IGBT的栅极施加的控制信号组合以针对所述脉冲的持续时间将在所述IGBT的关闭期间所述IGBT的所述栅极电压暂时升高至所述IGBT的门限电压以上。提供了一种减小IGBT中的V_CE过冲的对应方法。

主权项

1.一种电路，包括：绝缘栅双极型晶体管IGBT，可操作以响应于向所述IGBT的栅极施加的控制信号在开关周期的第一阶段传导电流并且在所述开关周期的第二阶段阻挡电流，其中过冲发生在所述IGBT在所述开关周期的所述第二阶段的集电极‑发射极电压(VCE)中；以及电路装置，可操作以：生成脉冲，所述脉冲具有与通过所述IGBT的电流在所述开关周期的所述第二阶段开始下降的时刻同步的上升沿以及作为所述集电极‑发射极电压过冲的持续时间的一部分的宽度；以及将所述脉冲与向所述IGBT的栅极施加的所述控制信号组合以针对所述脉冲的持续时间将所述IGBT在所述开关周期的所述第二阶段中的栅极电压暂时升高至所述IGBT的门限电压以上。