[发明专利]一种晶体材料、其制备方法及作为非线性光学晶体的应用有效
申请号: | 201610316492.4 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105755542B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 刘彬文;郭国聪;曾卉一;姜小明;徐忠宁;李淑芳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | G02F1/355 | 分类号: | G02F1/355;C30B29/46;C30B1/10;H01S3/16 |
代理公司: | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人: | 张莹 |
地址: | 350002 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及作为红外非线性光学晶体材料的应用。所述晶体的化学式是AGexQy;其中,A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种;Q选自S或Se;x=1~2,y=3~5。所述晶体材料具有优异的红外非线性光学性能。实验测定其非线性效应是商用AgGaS2的1~15倍,激光损伤阈值是商用AgGaS2的1~20倍。与目前商用的红外非线性晶体相比,本申请所述晶体材料的非线性光学性能有很大的提高,在大功率激光器领域具有重要商业应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 材料 制备 方法 作为 非线性 光学 应用 | ||
【主权项】:
1.一种晶体材料,其特征在于,具有如式II所示的化学式:AGe2Q5 式II;或者具有如式III所示的化学式:AGeQ3 式III其中,A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种;Q选自S或Se;式II中所示晶体材料的晶体结构属于单斜晶系,空间群Pc;式III中所示晶体材料的晶体结构属于正交晶系,空间群Pna21。
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