[发明专利]一种锗离子印迹聚合物的制备方法

摘要

一种锗离子印迹聚合物的制备方法。其步骤如下将质量比四氯化锗和8‑羟基喹啉加入氯仿和甲醇的混合溶剂中，搅拌混合后，滴加浓盐酸，控制pH；按四氯化锗与丙烯酰胺质量比加入丙烯酰胺，搅拌混合，再依次加入乙二醇二甲基丙烯酸酯和偶氮二异丁腈；通入氩气，排除氧气，密闭容器下反应；反应结束后，冷却，过滤，用醋酸与乙醇混合液洗涤滤饼，再用水洗涤至无色，用无水乙醇浸泡后，减压下干燥，得到所述锗离子印迹聚合物。本发明是一种简单、高效、便捷的制备锗离子印迹聚合物的方法，本法制备的锗离子印迹聚合物对高酸度、高杂质、低锗离子浓度溶液中锗离子的萃取分离与富集具有显著效果。

主权项

一种锗离子印迹聚合物的制备方法，其特征是步骤如下：将质量比1:2~6的四氯化锗和8‑羟基喹啉加入体积比1:0.5~2的氯仿和甲醇的混合溶剂中，搅拌混合10min后，滴加浓盐酸，控制pH为‑0.5~‑1.0；按四氯化锗与丙烯酰胺质量比1:0.5~2.5加入丙烯酰胺，搅拌混合2~4h，再按四氯化锗:乙二醇二甲基丙烯酸酯:偶氮二异丁腈质量比=1:7~20:0.3~2，依次加入乙二醇二甲基丙烯酸酯和偶氮二异丁腈；通入氩气，排除氧气，10min后停止通入氩气，密闭容器，在40~60℃下反应6~24h；反应结束后，冷却，过滤，用体积比=1:4醋酸与乙醇混合液洗涤滤饼，再用水洗涤至无色，用无水乙醇浸泡后，在80℃减压下干燥，得到所述锗离子印迹聚合物。