[发明专利]光刻胶去除方法及半导体器件制作方法有效
| 申请号： | 201610307221.2 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105824202B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶去除方法及半导体器件制作方法，先在低温环境下对待去除的光刻胶层进行湿法浸泡清洗，从而可以软化并去除该光刻胶层表层的大部分硬壳，同时可以降低整个光刻胶层去除的成本；然后再对清洗后的半导体衬底进行紫外光照射烘干并维持低温，从而改变剩余硬壳的性质，并避免光刻胶内易挥发溶剂散发导致光刻胶聚合物杂质的产生，使其容易通过后续的灰化处理工艺去除，同时对湿法清洗后的半导体衬底进行了烘干，从而为后续灰化处理工艺提供良好的反应环境；最后通过灰化处理工艺快速、高效的完成整个去胶过程，能够解决光刻胶残留问题，避免光刻胶残留物造成的器件缺陷，提高制造的半导体器件的稳定性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，其上具有待去除的光刻胶层；在120℃以下的条件下，对所述半导体衬底的光刻胶层进行湿法浸泡清洗，以除去所述光刻胶层的表层的大部分硬壳，并使大块的光刻胶层从半导体衬底的表面脱落；对清洗后的半导体衬底进行紫外光照射烘干，并维持半导体衬底温度低于120℃，所述紫外光照射的波长与所述光刻胶层的曝光波长一致；对紫外光照射后的半导体衬底进行灰化处理，去除剩余的光刻胶层。
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