[发明专利]一种硅基绝缘层上多晶硅介质与玻璃的阳极键合方法及其应用在审
| 申请号： | 201610307164.8 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107352503A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 柳俊文;何野;徐波 | 申请（专利权）人： | 江苏英特神斯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基绝缘层上多晶硅与玻璃的阳极键合方法，所述方法为(1)在硅衬底面上沉积一层绝缘层；(2)以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅衬底面与多晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；(3)在开设有开槽区的硅衬底面的绝缘层上沉积一层多晶硅，多晶硅在所述的开槽区与硅基导通；(4)所述的多晶硅与玻璃进行阳极键合；当硅‑玻璃键合面区域存在高压敏感结构时，本发明方法使键合电流在阳极键合过程中不通过这些结构，以实现MEMS器件的电学性能保护，同时仍然保证多晶硅‑玻璃的键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 多晶 介质 玻璃 阳极 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种硅基上多晶硅与玻璃的阳极键合方法，其特征在于所述方法按如下步骤进行：(1)在硅基衬底上沉积一层绝缘层，所述绝缘层的材料选自SiO2、Si3N4或SiC；(2)以光刻胶作掩膜层，对绝缘层进行刻蚀，将硅衬底面与多晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；(3)在开设有开槽区的硅衬底面的绝缘层上沉积一层多晶硅，多晶硅在所述的开槽区与硅基导通；(4)所述的多晶硅与玻璃进行阳极键合。
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