[发明专利]一种垂直双扩散MOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610301026.9 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107359189B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直双扩散MOS器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用以解决现有技术在VDMOS器件的源极和漏极之间加压时，容易造成源漏之间漏电的问题。本发明实施例的制作方法包括：在N型衬底层的表面形成N型外延层；在所述N型外延层内形成第一P‑体区；在所述第一P‑体区内形成N+源区及包覆在所述N+源区周围的第二P‑体区，其中，所述N+源区的表面与所述N型外延层的表面持平。本发明实施例通过在N+源区的外围制作一个包围该N+源区的第二P‑体区，使得耗尽区不容易扩散开，大大降低了源漏之间穿通漏电的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 mos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在N型衬底层的表面形成N型外延层；在所述N型外延层内形成第一P‑体区；在所述第一P‑体区内形成N+源区及包覆在所述N+源区周围的第二P‑体区，其中，所述N+源区的表面与所述N型外延层的表面持平。
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