[发明专利]采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法及多晶硅还原系统在审
| 申请号： | 201610299045.2 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107352545A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 吕海花;孙运德;刘丹丹;胡启红;王倩;陈媛 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗建民,邓伯英 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法以及多晶硅还原系统，该方法包括进料步骤和尾气控制步骤，在进料步骤中，在多晶硅生产的中后期，将未经预热的冷氢与经加热后的混合气体混合，再送入还原炉中，所述混合气体为三氯氢硅和氢气的混合气体。该方法及系统能够解决多晶硅还原系统运行中进料温度过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 多晶 还原 系统 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法，包括进料步骤和尾气控制步骤，其特征在于，所述进料步骤中，在多晶硅生产的中后期，将未经预热的冷氢与经加热后的混合气体混合，再送入还原炉中，所述混合气体为三氯氢硅和氢气的混合气体。
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