[发明专利]片式电阻器及其制造方法有效
申请号: | 201610297021.3 | 申请日: | 2016-05-06 |
公开(公告)号: | CN106910582B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 朴光贤;韩镇万 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01C1/142 | 分类号: | H01C1/142;H01C1/08;H01C17/065 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马翠平;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供一种片式电阻器及其制造方法,根据本发明构思的示例性实施例的片式电阻器包括:基板;第一电极和第二电极,被设置为在基板的一个表面上彼此分开;电阻器,设置在基板的一个表面上并且电连接到第一电极和第二电极;第一保护层,设置在电阻器上并且覆盖电阻器的第一区域;第二保护层,设置在电阻器上,覆盖与第一区域不同的第二区域,并且具有比第一保护层的热导率高的热导率。 | ||
搜索关键词: | 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种片式电阻器,包括:/n基板;/n第一电极和第二电极,被设置为在基板的一个表面上彼此分开;/n电阻器,设置在基板的所述一个表面上并且电连接到第一电极和第二电极,在所述电阻器的一个表面形成有槽;/n第一保护层,设置在电阻器上并且覆盖电阻器的所述一个表面中的第一区域,该第一区域围绕所述槽;以及/n第二保护层,设置在电阻器上,覆盖电阻器的所述一个表面的与所述第一区域不同的第二区域,并且具有比第一保护层的热导率高的热导率,第二区域与所述槽通过所述第一区域被隔开。/n
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