[发明专利]一种利用温度摇摆生长大尺寸二维材料单晶的方法在审
| 申请号： | 201610287838.2 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105926030A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 邱俊;陆美胜 | 申请（专利权）人： | 南京安京太赫光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211300 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种利用温度摇摆生长大尺寸二维材料单晶的方法。在二维材料生长的过程中，采用左、中、右三个温区控制生长温度，在恒温生长过程中，中间温区保持一个恒定的温度，而左、右两个温区温度在中间温区温度上下摆动，从而实现大尺寸二维材料的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 温度 摇摆 生长 尺寸 二维 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种利用温度摇摆生长大尺寸二维材料单晶的方法，其特征在于生长过程中使用三温区温度的变化来实现大尺寸二维材料单晶的生长。
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