[发明专利]一种人民币防伪检测传感器及其制备方法有效
申请号: | 201610281971.7 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN107342337B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 李成 | 申请(专利权)人: | 上海芯晨科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/12;H01L31/18;G07D7/121 |
代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种人民币防伪检测传感器及其制备方法,包括:单片集成的紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管;提供一衬底,根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽,确定紫外发光二极管的位置;在所述沟槽内逐层形成缓冲层、N型外延层及P型外延层;在所述衬底及所述P型外延层表面形成第一保护层;采用离子注入方式在所述衬底中形成掺杂区,所述掺杂区与所述衬底形成光敏二极管;分别制作各器件的接触电极,并在光敏二极管的表面分别形成蓝光滤光膜和绿光滤光膜。本发明将紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管集成于同一衬底上,大大减小了人民币防伪检测传感器的体积和生产成本,扩大了人民币防伪检测传感器的应用面。 | ||
搜索关键词: | 一种 人民币 防伪 检测 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种人民币防伪检测传感器,其特征在于,所述人民币防伪检测传感器至少包括:/n单片集成的紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管;/n所述紫外发光二极管包括位于衬底上的缓冲层,位于所述缓冲层上的N型外延层以及位于所述N型外延层上的P型外延层,所述紫外发光二极管发出紫外光;/n所述蓝光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区,位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的蓝光滤光膜,所述蓝光光敏二极管用于检测蓝光;/n所述绿光光敏二极管包括位于所述衬底上的掺杂区,位于掺杂区上的保护层以及位于所述保护层上的绿光滤光膜,所述绿光光敏二极管用于检测绿光。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的