[发明专利]一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法有效
申请号: | 201610280078.2 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN105810761B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 管自生;李军;沈志妹;陆春华;许仲梓 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210037 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法,包括如下步骤:首先将金刚线切割多晶硅片浸入碱溶液和碱反应控制剂的混合水溶液中,去除硅片表面损伤层后,浸入含有无机离子和有机分子的氢氟酸溶液中反应,其次采用氢氟酸及双氧水的混合溶液对多晶硅表面进行预处理,同时加入造孔调节剂,最后采用氢氟酸及硝酸混合酸溶液对硅片表面进行制绒,即可。优点为本发明制得的多晶硅绒面片不仅绒面均匀、色差小、刻蚀深度一致,且其具有低表面反射率和较高的转换效率,且该制备方法简单易行,试剂成本较低,反应条件易于实现,与现有工业化生产工序兼容性较好,适合于推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚 切割 多晶 硅片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法,其特征在于包括如下步骤:(1)第一步工序,将金刚线切割多晶硅片浸入碱溶液和碱反应控制剂的混合水溶液中,去除多晶硅表面损伤层,形成硅片凸起微结构,所述碱反应控制剂包括聚羧酸、异辛醇聚氧乙醚磷酸酯、烯丙醇聚氧烷基醚、聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇、十六烷基三甲基氯化铵或全氟辛基两性磷酸酯氟碳表面活性剂中的一种或几种;(2)第二步工序,将带有凸起微结构的多晶硅片浸入含有无机离子和有机分子的氢氟酸溶液中,在硅片表面沉积金属颗粒;(3)第三步工序:在含有造孔调节剂、氢氟酸和双氧水的混合溶液中对制得的硅片进行造孔,其中,造孔调节剂包括葡萄糖醛酸、半乳糖醛酸、脂肪酸酰胺、脂肪醇聚氧乙烯醚、海藻酸钠、纤维素钠、氨基葡萄糖、羧酸钠、十八碳三烯酸或油酸中的一种或几种;(4)第四步工序,将上述硅片进行清洗后,采用氢氟酸和硝酸的混合酸溶液对硅片表面进行制绒,即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的