[发明专利]周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器在审
| 申请号： | 201610279706.5 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105811242A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈泳屹;贾鹏;秦莉;宁永强;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 李青 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器属于半导体激光芯片技术领域，目的在于解决现有技术存在的分布反馈半导体激光器制备困难、成本高昂问题。本发明在半导体激光芯片上制作周期性金属接触；可以通过刻蚀、氧化、载流子注入等手段在周期性金属接触之间制作侧向电流限制区，也可以在芯片端面制作高反膜或减反膜。本发明可以实现高功率窄线宽的半导体激光单管或者线阵输出，也可作为种子光源应用于其他半导体激光器，或产生双波长或者频率梳激射的半导体激光，或用于进行非线性光学效应，也可以获得波长稳定的半导体激光泵浦光源。 | ||
| 搜索关键词： | 周期性 金属 接触 增益 耦合 分布 反馈 半导体激光器 | ||
【主权项】：
周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器，其特征在于，该激光器为在半导体激光芯片上制作出限制光场分布的脊型结构，在所述脊型结构的上表面上制作周期性金属接触。
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