[发明专利]包括结终端延伸结构的超结半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201610275891.0 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106409906B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;D.图图克;A.韦尔克尔;H.韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括结终端扩展结构的超结半导体器件及制造方法。实施例涉及超结半导体器件，其包括在半导体主体（106）的第一表面（104）处并至少部分地围绕有源单元区域（108）的结终端区域（102）。结终端区域（102）的内部分（110）布置在结终端区域（102）的外部分（112）和有源单元区域（108）之间。电荷补偿器件结构包括沿着第一横向方向（x）交替地布置的第一导电类型的第一区（114）和第二导电类型的第二区（116）。第一表面区域（118）对应于第一区（114）到第一表面（104）上的投影，而第二表面区域（120）对应于第二区（116）到第一表面（104）上的投影。超结半导体器件还包括第一结终端扩展结构（122）和第二结终端扩展结构（124）中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 终端 延伸 结构 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结半导体器件，包括：结终端区域（102），其在半导体主体（106）的第一表面（104）处并至少部分地围绕有源单元区域（108），其中所述结终端区域（102）的内部分（110）布置在所述结终端区域（102）的外部分（112）和所述有源单元区域（108）之间；电荷补偿器件结构，其包括沿着第一横向方向（x）交替地布置的第一导电类型的第一区（114）和第二导电类型的第二区（116），第一表面区域（118）对应于所述第一区（114）到所述第一表面（104）上的投影，而第二表面区域（120）对应于所述第二区（116）到所述第一表面（104）上的投影；以及还包括：第一结终端延伸结构（122）和第二结终端延伸结构（124）中的至少一个，其中所述第一导电类型的第一掺杂剂构成所述第一结终端延伸结构（122），其中在所述结终端区域（102）的所述外部分（112）中，所述第一结终端延伸结构（122）到所述第一表面（104）上的投影区域至少部分地被包括在所述第二表面区域（120）中并至少部分地从所述第一表面区域（118）排除，以及所述第二导电类型的第二掺杂剂构成所述第二结终端延伸结构（124），其中在所述结终端区域（102）的所述内部分（110）中，所述第二结终端延伸结构（124）到所述第一表面（104）上的投影区域至少部分地被包括在所述第一表面区域（118）中并至少部分地从所述第二表面区域（120）排除。
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