[发明专利]GaN基LED外延结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制造方法，所述LED外延结构依次包括：衬底；缓冲层；u‑GaN层；n型GaN层；多量子阱发光层；电子阻挡层；超晶格透光扩展层，所述超晶格透光扩展层包括若干周期堆叠的Al_xIn_yGa_1‑x‑yN势阱层和Al_wIn_zGa_1‑w‑zN势垒层，其中，Al_xIn_yGa_1‑x‑yN势阱层中x取值范围为0≤x≤0.5，y取值范围为0≤y≤0.1，Al_wIn_zGa_1‑w‑zN势垒层中w取值范围为0＜w≤0.5，z取值范围为0＜z≤0.1；p 型GaN层。本发明通过在电子阻挡层和p 型GaN层之间形成Al_xIn_yGa_1‑x‑yN/Al_wIn_zGa_1‑w‑zN超晶格透光扩展层，阻挡了外延材料的缺陷，减缓了电流壅塞进而提升了器件的抗静电能力。

主权项

一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的u‑GaN层；位于所述u‑GaN层上的n型GaN层；位于所述n型GaN层上的多量子阱发光层；位于所述多量子阱发光层上的电子阻挡层；位于所述电子阻挡层上的超晶格透光扩展层，所述超晶格透光扩展层包括若干周期堆叠的Al_xIn_yGa_1‑x‑yN势阱层和Al_wIn_zGa_1‑w‑zN势垒层，其中，Al_xIn_yGa_1‑x‑yN势阱层中x取值范围为0≤x≤0.5，y取值范围为0≤y≤0.1，Al_wIn_zGa_1‑w‑zN势垒层中w取值范围为0＜w≤0.5，z取值范围为0＜z≤0.1；位于所述超晶格透光扩展层上的p 型GaN层。