[发明专利]一种基于氮杂均苯结构的化合物及其在OLED上的应用

摘要

本发明公开了一种基于氮杂均苯结构的化合物，该类化合物具有高Tg，良好稳定性，较高的三线态能级，整个分子具有良好的空穴传输能力，高三线态能级，宽能隙，及良好的热稳定性。本发明化合物作为空穴传输/电子阻挡材料或发光层材料应用于OLED发光器件制作，可以获得良好的器件表现，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。

主权项

1.一种基于氮杂均苯结构的化合物，其特征在于所述化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，Ar表示为苯基、甲苯基、二甲苯基、三甲苯基、吡啶基、联苯基、三苯基、萘基、蒽基、菲基、三嗪基、嘧啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9‑二甲基芴基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并噻吩基、吖啶基、吲哚并咔唑基中的任一种；通式(1)中，采用通式(2)或通式(3)表示：X1为氧原子、硫原子、硒原子、亚乙烯基、C1‑10直链或支链烷基取代的亚烷基、苯基或联苯基或萘基取代的亚烷基、C1‑10直链或支链烷基取代的胺基、苯基或联苯基或萘基取代的胺基中的一种；R1、R2分别独立的选取氢或通式(4)所示结构；且R1、R2不同时为氢；a为X₂、X₃分别表示为氧原子、硫原子、硒原子、C_1‑10直链或支链烷基取代的亚烷基、苯基或联苯基或萘基取代的亚烷基、C_1‑10直链或支链烷基取代的胺基、苯基或联苯基或萘基取代的胺基中的一种；a与C_L1‑C_L2键、C_L2‑C_L3键、C_L3‑C_L4键、C_L4‑C_L5键、C_L‘1‑C_L’2键、C_L‘2‑C_L’3键、C_L‘3‑C_L’4键或C_L‘4‑C_L’5键连接。