[发明专利]一种氮化硅陶瓷/金属复合板的制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅陶瓷/金属复合板的制备方法，包括以下步骤：首先将Ni、V、Au三种单质进行真空电子束熔炼提纯；将提纯后的金属单质采用电弧熔炼或感应熔炼制备钎料母合金，对钎料母合金进行无氧铜真空包装，热轧开坯，去除包套、冷轧、退火，制备得到活性钎料；然后按照氮化硅陶瓷层‑活性钎料‑金属层的样式固定装配在一起，放入真空钎焊炉内处理制得金属陶瓷层；最后将金属陶瓷层和金属基体铸接在一起，制得氮化硅陶瓷/金属复合板。该复合板耐磨性能和抗腐蚀性能好，钎焊效果好，接头强度大，陶瓷层不易脱落。

主权项

一种氮化硅陶瓷/金属复合板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将重量百分比分别为Ni 16‑22wt％、V 0.5‑10wt％，其余为Au的三种单质进行真空电子束熔炼提纯；(2)将提纯后的金属单质采用电弧熔炼或感应熔炼制备钎料母合金，反复熔炼2‑3次，得到钎料母合金；(3)对钎料母合金进行无氧铜真空包装，热轧开坯，去除包套、冷轧、退火，制备得到活性钎料；(4)使用有机溶剂将金属层和氮化硅陶瓷层擦洗干净，并按照氮化硅陶瓷层‑活性钎料‑金属层的样式固定装配在一起，放入真空钎焊炉内，控制真空度为1‑1.5×10^‑4Pa，然后以30℃/min的速率加热到450‑500℃，保温20‑30min，再以10℃/min的速率加热到690‑720℃，保温30‑35min，再以12℃/min的速率加热到800‑850℃，保温15min，再以10℃/min的速率加热到860‑880℃，保温20min，冷却时，先以5‑10℃/min的速率冷却至600℃，随炉冷却，得到金属陶瓷层；(5)将步骤(4)制得的金属陶瓷层预热至850‑950℃，保温30‑60min，然后将金属陶瓷层和金属基体一起竖立放入铸接模具的型腔内，其中金属陶瓷层的金属层与金属基体相对，金属陶瓷层的金属层与金属基体之间留有孔隙，熔炼钢业浇注在金属陶瓷层与基体之间的孔隙内，进行铸接，得到氮化硅陶瓷/金属复合板。