[发明专利]一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜方法有效
申请号: | 201610252365.2 | 申请日: | 2016-04-21 |
公开(公告)号: | CN105887049B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 郑亮 | 申请(专利权)人: | 郑亮 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 郎坚 |
地址: | 100088 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜的方法,其包括以下步骤:1)表面处理步骤,2)纳米疏水镀膜步骤。本发明还涉及一种用于镀膜的设备,所述设备设置有真空仓体,真空仓体内设置有样品台、加热装置、真空装置、高频和射频电极、至少5个进气口,在样品台上方30‑70mm位置设置有屏蔽钢网;真空仓体外部还设置有至少5个气体气源,气源上设置有调节流量的调节装置。 | ||
搜索关键词: | 镀膜 疏水 真空仓体 真空放电 沉积 进气口 表面处理步骤 调节装置 镀膜步骤 加热装置 气体气源 射频电极 设备设置 真空装置 样品台 真空仓 屏蔽 钢网 气源 体内 外部 | ||
【主权项】:
1.一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜的方法,其包括以下步骤:1)表面处理步骤:1a)将样品放入镀膜设备的真空仓体内,并进行抽真空操作;1b)打开氧气电磁阀,在真空仓体内通入氧气;1c)通入氧气后真空度会下降,待到真空度稳定后,接通并启动13.56MHz射频电源;1d)处理完成后,关闭氧气电磁阀和13.56MHz射频电源;2)纳米疏水镀膜步骤:2a)设置温度控制器2使样品3的温度被加热到50-100℃;2b)打开六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气电磁阀,在真空仓体内通入六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气;2c)通入六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气后真空度会下降,待到真空度稳定后,接通并启动13.56MHz射频电源以及300kHz高频电源;2d)处理完成后,关闭六氟化硫、甲烷和氩气氢气混合气电磁阀和13.56MHz射频电源以及300kHz高频电源,并接通大气。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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