[发明专利]一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管

摘要

本发明公开一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管,包括源区、漏区、沟道区、阻挡层、上绝缘介质层、下绝缘介质上栅极和下栅极；其中漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从漏区到沟道区的掺杂浓度相同，源区采用不同于漏区和沟道区的掺杂类型。源区和漏区中间有一层阻挡层，不直接接触。本发明使用对称垂直双栅结构，增加了隧穿接触面积，减小隧穿势垒宽度，增大导通电流，阻挡层和延伸的栅电极有效抑制了器件的关态漏电，通过减小体硅厚度和使用High‑K栅介质可以改善亚阈值斜率。相比于目前的MOS器件的较大的亚阈值斜率，较大的泄露电流，本发明优势明显，适合用于小尺寸器件领域。

主权项

1.一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管，其特征在于：包括源区、漏区、沟道区、阻挡层、上绝缘介质层、下绝缘介质、上栅极和下栅极；所述源区，漏区和沟道区位于上绝缘介质层和下绝缘介质层之间；所述上栅极位于上栅绝缘介质层的上层，所述下栅极位于下栅绝缘介质层的下层；其中，所述漏区、沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从漏区到沟道区掺杂浓度相同，源区采用不同于漏区和沟道区的掺杂类型；在源区和漏区之间存在阻挡层，且阻挡层深度和源区一样。