[发明专利]不对称式MOSFET并联电路

摘要

本发明涉及一种电子电路技术领域，具体涉及一种不对称式MOSFET并联电路，包括信号输出电路，用以输出一预定信号；第一放大电路，连接信号输出电路，用以放大预定信号形成第一放大信号输出并输出；第一控制电路，第一控制电路的驱动端连接第一放大电路，用以接受第一放大信号，并于第一放大信号的驱动下输出第一电压信号；延迟电路，连接信号输出电路，用以接受预定信号，并对预定信号做延迟处理形成一延迟信号输出；第二放大电路，接受经过延迟处理后的延迟信号，并对延迟信号做放大处理形成一第二放大信号输出；第二控制电路，第二控制信号的驱动端连接第二放大电路，用以接受第二放大信号，并于第二放大信号的驱动信输出第二电压信号。

主权项

一种不对称式MOSFET并联电路，其特征在于，包括信号输出电路，用以输出一预定信号；第一放大电路，连接所述信号输出电路，用以放大所述预定信号形成第一放大信号输出并输出；第一控制电路，所述第一控制电路的驱动端连接所述第一放大电路，用以接受所述第一放大信号，并于所述第一放大信号的驱动下输出第一电压信号；延迟电路，连接所述信号输出电路，用以接受所述预定信号，并对所述预定信号做延迟处理形成一延迟信号输出；第二放大电路，接受经过延迟处理后的所述延迟信号，并对所述延迟信号做放大处理形成一第二放大信号输出；第二控制电路，所述第二控制电路的驱动端连接所述第二放大电路，用以接受所述第二放大信号，并于所述第二放大信号的驱动信输出第二电压信号。