[发明专利]高纯度六氯化钨及其制备方法有效
| 申请号： | 201610244852.4 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN106145197A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 伍笑晞;S·V·伊万诺夫 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C01G41/04 | 分类号： | C01G41/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可冷凝金属卤化物材料(例如但不限于钨氯化物(WCl6))可用于在化学气相沉积(CVD)或原子层沉积工艺中沉积金属膜或含金属膜。本文描述了包含可冷凝材料的高纯度组合物和纯化可冷凝材料的方法。在一个方面，提供了一种组合物，其包含：基本上没有至少一种杂质的六氯化钨，其中如通过X射线衍射测量的，该六氯化钨包含至少90重量％、优选95重量％和更优选99重量％或更多的β‑WCl6及5重量％或更少的α‑WCl6。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 氯化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于通过化学气相沉积或原子层沉积工艺沉积钨膜或含钨膜的组合物，所述组合物包含：至少90重量％或更多的β‑WCl6。
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