[发明专利]一种高致密性纳米陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201610240922.9 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107304131A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 孟祥瑞 | 申请（专利权）人： | 中科翔（天津）科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/576 | 分类号： | C04B35/576;C04B35/486;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米陶瓷材料的制备技术领域。提供一种高致密性的纳米陶瓷制备方法，具体为，将待处理的陶瓷件清洗烘干后，置入真空容器，同时将纳米材料置于真空容器中的加热源上，抽真空后在1100‑1200℃，保持1‑4小时进行真空处理；再将真空处理后的陶瓷进行无压烧结，以为100‑200K/min的速度升温至600‑800℃，保持4‑6小时后冷却降至室温。本发明提供的纳米陶瓷制备方法工艺条件简单，成本低，适用于大规模工业生产。通过本发明的工艺方法处理后的陶瓷，将陶瓷的多孔性改变成致密性，增加陶瓷的润滑性和憎水性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 纳米 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
高致密性的纳米陶瓷制备方法，其特征在于：将待处理的陶瓷件如75瓷或95瓷或99瓷的纺织陶瓷、未施釉的高压输电瓷瓶、半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门或水龙头开关用陶瓷等清洗烘干后，置入真空容器，同时将纳米材料置于真空容器中的加热源上，抽真空至真空度为133.3×10‑3～133.3×10‑7Pa，将纳米材料加热至1100‑1200℃，保持1‑4小时，解除真空，降至室温。所述的纳米陶瓷材料的组分及各组分质量分如下：纳米碳化硅30‑40份、纳米氮化硅20‑30份、纳米氧化锆30‑40份。
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