[发明专利]一种高致密性纳米陶瓷的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及纳米陶瓷材料的制备技术领域。

背景技术

随着工业的发展，陶瓷材料的应用领域越来越广。但现有陶瓷材料由于孔隙多、致密性差存在很多缺陷。如现有的纺纱陶瓷如75瓷或95瓷或99瓷，由于孔隙多，抗潮性能差，耐磨性差，光洁度不高，造成纺纱断线率高。高压输电线的陶瓷瓶由于孔隙率大导致易被击穿。而半导体元器件封装用陶瓷瓶由于孔隙率大，抗潮性能差，影响半导体材料的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高致密性的纳米陶瓷制备方法，采用的技术方案是：

(1)将待处理的陶瓷件如75瓷或95瓷或99瓷的纺织陶瓷、未施釉的高压输电瓷瓶、半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门或水龙头开关用陶瓷等清洗烘干后，置入真空容器，同时将纳米材料置于真空容器中的加热源上，抽真空至真空度为133.3×10^-3～133.3×10^-7Pa，将纳米材料加热至1100-1200℃，保持1-4小时，解除真空，降至室温。所述的纳米陶瓷材料的组分及各组分质量分如下：纳米碳化硅30-40份、纳米氮化硅20-30份、纳米氧化锆30-40份。

(2)将步骤(1)真空处理后的陶瓷进行无压烧结，以为100-200K/min的速度升温至600-800℃，保持4-6小时后冷却降至室温。

本发明的有益效果是：本发明提供的纳米陶瓷制备方法工艺条件简单，成本低，适用于大规模工业生产。通过本发明的工艺方法处理后的陶瓷，将陶瓷的多孔性改变成致密性，增加陶瓷的润滑性和憎水性。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明，以下结合较佳实施例，对本发明做进一步详细说明。

实施例1

A.将待处理的陶瓷件如75瓷或95瓷或99瓷的纺织陶瓷、未施釉的高压输电瓷 瓶、半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门或水龙头开关用陶瓷等用酒精进行清洗，去除表面及孔内的污物、油渍，清洗后烘干，去除表面及孔内的物理水。

B.将待处理的陶瓷件如75瓷或95瓷或99瓷的纺织陶瓷、未施釉的高压输电瓷瓶、半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门或水龙头开关用陶瓷等置入真空容器，同时将纳米材料置于真空容器中的加热源上。所述的纳米陶瓷材料的组分及各组分质量分如下：纳米碳化硅30-40份、纳米氮化硅20-30份、纳米氧化锆30-40份。

C.抽真空至真空度为133.3×10^-3～133.3×10^-7Pa，将纳米材料加热至1100-1200℃，保持1-4小时，解除真空，降至室温。

D.将上一步真空处理后的陶瓷进行无压烧结，以为100-200K/min的速度升温至600-800℃，保持4-6小时后冷却降至室温。