[发明专利]传感器及其制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 201610236910.9 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105789324B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 林家强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;KA图像 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G01L9/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种传感器及其制造方法、电子设备，该传感器包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层中设置有贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；导电层，设置于所述第一过孔中和部分所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述源极电连接；偏压电极，设置于所述第一绝缘层上且与所述导电层分离；传感有源层，分别与所述导电层和所述偏压电极连接；以及辅助导电层，设置于所述导电层上。该传感器及其制造方法，在不增加工序的情况下，在导电层上设置辅助导电层，提高了导通能力，保证信号的正常传输。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种传感器，其特征在于，包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层中设置有贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；导电层，设置于所述第一过孔中和部分所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述源极电连接；偏压电极，设置于所述第一绝缘层上且与所述导电层分离；传感有源层，分别与所述导电层和所述偏压电极连接；第二绝缘层，设置于所述传感有源层上，以及辅助导电层，设置于所述导电层上。
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