[发明专利]用于斜面聚合物减少的边缘环有效
| 申请号： | 201610236298.5 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106057616B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | R·米什拉;G·J·斯科特;K·M·西拉朱迪茵;S·L·图西巴格威尔;S·西卢纳乌卡拉苏 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例包括被用于减少来自基板周边区域(诸如基板的边缘或斜面)的残余膜层的方法与设备。可在等离子体工艺之后减少基板斜面、背侧与基板周边区域的污染。在一个实施例中，一种边缘环包括：基座圆形环，该基座圆形环具有限定形成在其上的中央开口的内表面以及限定该基座圆形环的周边的外表面。该基座圆形环包括上主体与连接到该上主体的下部。阶梯形成在该基座圆形环的内表面处并且位于该上主体的第一上表面之上。该阶梯限定位于该上主体的第一上表面之上的袋。多个凸起特征形成在该基座圆形环的第一上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 斜面 聚合物 减少 边缘 | ||
【主权项】：
一种边缘环，包括：基座圆形环，所述基座圆形环具有限定形成在其上的中央开口的内表面以及限定所述基座圆形环的周边的外表面，所述基座圆形环包括上主体和连接到所述上主体的下部；阶梯，所述阶梯形成在所述基座圆形环的内表面处并且位于所述上主体的第一上表面之上，所述阶梯限定位于所述上主体的第一上表面之上的袋；以及多个凸起特征，所述多个凸起特征形成在所述基座圆形环的第一上表面上。
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