[发明专利]发光二极管元件有效
| 申请号： | 201610235831.6 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN105914271B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈吉兴;陈怡名;许嘉良 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种发光二极管元件，发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极。导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域。半导体磊晶叠层位于导电成长基板的第一区域上。半导体磊晶叠层包括依序堆栈于第一区域1A上的反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；第一电极位于第二半导体层上；第二电极位于第二区域上，通过导电成长基板与半导体磊晶叠层电性连结；第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。相较现有技术，本发明的发光二极管元件提升了亮度，并增强了第二电极和导电成长基板的粘着力，防止第二电极脱离导电成长基板。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件包括导电基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极，所述导电基板上表面具有第一区域和第二区域；所述半导体磊晶叠层位于所述导电基板的所述第一区域上；所述半导体磊晶叠层包括具有第一导电特性的第一半导体层、具有第二导电特性的第二半导体层以及位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层；所述第二电极位于所述第二区域上，通过所述导电基板与所述半导体磊晶叠层电性连结；所述第一电极和第二电极位于所述导电基板的同一侧，所述发光二极管元件进一步包括一位于所述第二区域上的叠层保留部，且所述第二电极完全或部分覆盖所述叠层保留部，所述叠层保留部的材料组成包括与所述半导体磊晶叠层的材料组成的至少其中之一相同的材料。
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