[发明专利]等离子体处理设备及其操作方法有效
| 申请号： | 201610232603.3 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107301941B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 赵晋荣;刘韶华;韦刚;彭雨霖;杨盟;符雅丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制造设备及其操作方法。所述半导体制造设备包括反应室、支撑件与衬层。反应室用于等离子体工艺，并且具有室壁。支撑件固定晶圆於反应室內。衬层围绕支撑件，并且具有顶侧与底侧，顶侧可拆卸地挂在该室壁上，而底侧则具有多个气体通道以允许等离子体粒子通过衬层。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：反应室，其被配置成用于等离子体工艺，并且该反应室具有室壁；支撑件，其被配置成固定晶圆於该反应室內；以及衬层，其被配置成围绕该支撑件，并且该衬层具有：顶侧，可拆卸地挂在该室壁上；底侧，具有多个气体通道以允许等离子体粒子通过该衬层；延伸于该顶侧与该底侧之间的侧边；以及位于该侧边与该底侧结合处的直角拐角，其中该多个气体通道包括位于该直角拐角的拐角开口。
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