[发明专利]包括具有主体接触部分的晶体管的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610228929.9 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106057897B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | A·迈泽尔;T·施勒塞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及包括具有主体接触部分的晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括在具有主表面的半导体主体中的晶体管的半导体器件。晶体管包括源极区域、漏极区域、主体区域、漂移区、和在该主体区域处的栅极电极。主体区域和漂移区沿着第一方向设置在源极区域与漏极区域之间，该第一方向平行于主表面。栅极电极设置在沿着第一方向延伸的沟槽中。半导体器件进一步包括电连接至源极区域和源极端子的源接触。源极接触设置在主表面中的源极接触开口中。半导体器件进一步包括电连接至源极端子和主体区域的主体接触部分。主体接触部分与源极区域竖直地重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 主体 接触 部分 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括在具有主表面(110)的半导体主体中的晶体管(10)的半导体器件(1)，所述晶体管包括：源极区域(201)；漏极区域(205)；主体区域(220)；漂移区(260)；在所述主体区域(220)处的栅极电极(210)，所述主体区域(220)和所述漂移区(260)沿着第一方向设置在所述源极区域(201)与所述漏极区域(205)之间，所述第一方向平行于所述主表面(110)，所述栅极电极(210)设置在沿着所述第一方向延伸的沟槽(212)中，电连接到所述源极区域(201)和源极端子(271)的源极接触(202)，所述源极接触(202)设置在所述主表面(110)中的源极接触开口(112)中，以及电连接到所述源极端子(271)和所述主体区域(220)的主体接触部分(225)，所述主体接触部分(225)设置在所述源极接触开口(112)的侧壁处。
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