[发明专利]化学机械抛光仿真的方法和装置有效
| 申请号： | 201610221234.8 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107291966B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘正方;李雪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种化学机械抛光仿真的方法和装置，其中，所述CMP仿真的方法包括：输入芯片版图，芯片版图包括多个图形；将芯片版图划分初始网格，初始网格包括多个子网格，计算初始网格的图形特征；对初始网格进行移位，产生移位网格，计算初始网格和移位网格的平均图形特征；根据初始网格的图形特征，进行CMP仿真，对芯片版图上存在的第一热点进行定位；根据所述平均图形特征以及定位的第一热点，对初始网格的图形特征进行修正，产生优化网格的图形特征；根据优化网格的图形特征，进行CMP仿真，对芯片版图上存在的第二热点进行定位。本发明实施例的方法，考虑到近邻子网格间的长程关联效应，减少了错误热点的预测数量，提高了CMP仿真的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光仿真的方法，其特征在于，包括：输入芯片版图，所述芯片版图包括多个图形；将所述芯片版图划分初始网格，所述初始网格包括多个子网格，计算所述初始网格的图形特征；对初始网格进行移位，产生移位网格，计算所述初始网格和移位网格的平均图形特征；根据所述初始网格的图形特征，进行化学机械抛光仿真，对所述芯片版图上存在的第一热点进行定位；根据所述平均图形特征以及定位的所述第一热点，对所述初始网格的图形特征进行修正，产生优化网格的图形特征；根据所述优化网格的图形特征，进行化学机械抛光仿真，对所述芯片版图上存在的第二热点进行定位。
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