[发明专利]一种LED外延新P层生长方法

摘要

本申请公开LED外延新P层生长方法，生长掺杂Mg的P层进一步为：通入NH₃、TMIn、H₂、Cp₂Mg生长5nm‑10nm的In_yMg_(1‑y)N层，y的取值范围：0.05<y<1；通入NH₃、TMGa、H₂、1000sccm‑3000sccm的Cp₂Mg，生长5nm‑10nm的pGaN，Mg的掺杂浓度为1E19atoms/cm³‑1E20atoms/cm³；重复周期性生长In_yMg_(1‑y)N/pGaN超晶格层，周期数为10‑20，生长In_yMg_(1‑y)N层和pGaN层的顺序可置换。如此方案，可大幅度提升Mg的掺杂效率和激活效率，使LED亮度得到有效提升。

主权项

一种LED外延新P层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长掺杂In的In_xGa_(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P层，降温冷却，其特征在于，所述生长掺杂Mg的P层进一步为：保持反应腔压力400mbar‑900mbar、温度950℃‑1000℃，通入流量为50000sccm‑70000sccm的NH₃、500sccm‑1000sccm的TMIn、100L/min‑130L/min的H₂、1000sccm‑3000sccm的Cp₂Mg生长5nm‑10nm的In_yMg_(1‑y)N层，y的取值范围：0.05<y<1；保持反应腔压力400mbar‑900mbar、温度950℃‑1000℃、通入流量为50000sccm‑70000sccm的NH₃、20sccm‑100sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的H₂、1000sccm‑3000sccm的Cp₂Mg，生长5nm‑10nm的pGaN，Mg的掺杂浓度为1E19atoms/cm³‑1E20atoms/cm³；重复周期性生长In_yMg_(1‑y)N/pGaN超晶格层，周期数为10‑20，生长In_yMg_(1‑y)N层和pGaN层的顺序可置换。