[发明专利]一种基于硅纳米结构的光电转换器件在审
| 申请号： | 201610216995.4 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105655425A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈立新 | 申请（专利权）人： | 陈立新 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0747;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅纳米线的光电转换器件，包括背电极(6)和P型硅衬底(5)，其特征在于：P型硅衬底(5)的上表面采用硅纳米线阵列结构，该硅纳米线阵列结构表面上依次层叠有i型非晶硅层(4)、N型非晶硅层(3)和氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)，其中i型非晶硅层(4)包括多次交替叠加的两种子层：第一高氢气/硅烷比的i型非晶硅子层以及第二低氢气/硅烷比的i型非晶硅子层。本发明由于P型硅衬底表面采用纳米线结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，同时i型非晶硅层为交替叠加的叠置结构，提高了其钝化性能，改善了光电转换器件的能量转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 结构 光电 转换 器件 | ||
【主权项】：
一种基于硅纳米线的光电转换器件，包括背电极(6)和P型硅衬底(5)，其特征在于：P型硅衬底(5)的上表面采用硅纳米线阵列结构，该硅纳米线阵列结构表面上依次层叠有i型非晶硅层(4)、N型非晶硅层(3)和氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)，其中i型非晶硅(4)包括多次交替叠加的两种子层：第一高氢气/硅烷比的i型非晶硅子层以及第二低氢气/硅烷比的i型非晶硅子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
