[发明专利]半导体器件、集成电路以及用于制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201610214998.4 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057893A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | A·迈泽尔;T·施勒塞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件、集成电路以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括位于半导体主体中的晶体管，该半导体主体具有第一主表面(110)和第二主表面(120)，第一主表面(110)与第二主表面(120)相对。晶体管包括第一主表面(110)处的源极区(201)、漏极区(205)、主体区(220)、漂移区域(260)、以及主体区(220)处的栅极电极(210)。主体区(220)和漂移区域(260)沿着第一方向设置在源极区(201)与漏极区(205)之间，该第一方向与第一主表面(110)平行。栅极电极(210)设置于在第一方向上延伸的沟槽中。晶体管还包括与主体区(220)的第二主表面(120)相邻的绝缘层。源极区(210)垂直延伸到第二主表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成电路 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(1)，所述半导体器件包括位于半导体主体(100)中的晶体管(10)，所述半导体主体(100)具有第一主表面(110)和第二主表面(120)，所述第一主表面(110)与所述第二主表面(120)相对，所述晶体管(10)包括：源极区(201)，所述源极区(201)位于所述第一主表面(110)处并延伸到所述第二主表面(120)；漏极区(205)；主体区(220)；漂移区域(260)；栅极电极(210)，所述栅极电极(210)位于所述主体区(220)处，所述主体区(220)和所述漂移区域(260)沿着第一方向设置在所述源极区(201)与所述漏极区(205)之间，所述第一方向与所述第一主表面(110)平行，所述栅极电极(210)设置在沿所述第一方向延伸的沟槽中，以及绝缘层(280)，所述绝缘层(280)位于所述半导体主体(100)的所述第二主表面(120)的近邻处。
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