[发明专利]显示器件的制造方法和显示器件有效
申请号: | 201610210131.1 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN106058077B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 观田康克;会田政胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在阳极反射电极的蚀刻形成中能够减少残渣的显示器件的制造方法和该残渣少的显示器件。在该显示器件的制造方法中,形成从衬底侧依次层叠了第一透明导电膜、金属膜和第二透明导电膜的三层层叠构造,上述三层层叠构造形成配置于像素区域的多个阳极电极和与上述像素区域相邻配置的多个虚设电极,对上述第二透明导电膜和上述金属膜进行蚀刻,对上述第一透明导电膜进行蚀刻,上述多个虚设电极的图案的密度随着从上述像素区域离开而减少。 | ||
搜索关键词: | 显示器件 透明导电膜 蚀刻 像素区域 虚设电极 金属膜 制造 阳极 反射电极 相邻配置 阳极电极 依次层叠 衬底 图案 | ||
【主权项】:
1.一种显示器件的制造方法,其特征在于:形成从衬底侧依次层叠了第一透明导电膜、金属膜和第二透明导电膜的三层层叠构造,所述三层层叠构造形成配置于像素区域的多个阳极电极和配置于所述像素区域的外侧的多个虚设电极,对所述第二透明导电膜和所述金属膜进行蚀刻,对所述第一透明导电膜进行蚀刻,所述多个虚设电极的各虚设电极的面积或所述多个虚设电极的单位面积的数量随着从所述像素区域离开而减少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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