[发明专利]有机半导体器件的空穴导电层及其应用和有机电子器件

摘要

本发明涉及有机电子器件的空穴导电层及其应用和有机光电子器件。用于有机电子器件的空穴导电层包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中，其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体，并且所述配位体选自乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8，8,8‑七氟‑2,2‑二甲基‑3,5‑辛二酮酸和2,2,6,6,‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸。

主权项

1.一种用于有机电子器件的空穴导电层，其中，包含单核的二次平面过渡金属络合物的掺杂材料被引入到空穴导电基体中，其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体，并且所述配位体选自三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8,8,8‑七氟‑2,2‑二甲基‑3,5‑辛二酮酸和2,2,6,6,‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸。