[发明专利]一种利用紫外光致亲水性判断HVPE外延生长蓝宝石衬底GaN掺杂类型的方法有效
| 申请号： | 201610205932.9 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN105891051B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘铎;贾冉;赵东方;高乃坤;颜为山;张玲 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01N13/00 | 分类号： | G01N13/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用紫外光致亲水性判断HVPE外延生长蓝宝石衬底GaN掺杂类型的方法，具体步骤包括：将待测GaN样品在紫外灯下照射，在紫外灯下照射后，如果待测GaN样品的接触角较紫外灯下照射之前降低了至少10°以上，则待测GaN样品为N型GaN，否则，该测试样品为P型GaN。本发明所采用判别方法耗时短，可以快速得到测试结果，与之前的判别方法相比省去了繁琐的多个数据点采集以及后续数据处理的操作。本发明所采用的GaN掺杂类型判别方法中，紫外光照射后的N型GaN样品在黑暗中放置约三天左右其表面接触角可恢复原状态，对测试样品表面无电极制备等任何破坏，在测试结束后还可应用于其他实验中。 | ||
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【主权项】：
1.一种利用紫外光致亲水性判断HVPE外延生长蓝宝石衬底GaN掺杂类型的方法，其特征在于，具体步骤包括：(1)将待测GaN样品依次经过丙酮、乙醇和去离子水超声清洗，分别清洗10‑15min；(2)N2吹干步骤(1)获取的待测GaN样品，得到表面清洁、干燥的待测GaN样品；(3)将待测GaN样品在紫外灯下照射，紫外灯的功率取值为400W，照射时间为5～50min，照射的相对湿度为15％～35％，待紫外灯照射结束后10min内测量待测GaN样品的接触角，如果待测GaN样品的接触角较紫外灯下照射之前降低了至少10°以上，则待测GaN样品为N型GaN，否则，该待测 GaN 样品为P型GaN。
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