[发明专利]半色调相移掩模坯,半色调相移掩模,和图案曝光方法有效
| 申请号: | 201610195910.9 | 申请日: | 2016-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN106019809B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
| 发明(设计)人: | 高坂卓郎;稻月判臣 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/29 | 分类号: | G03F1/29;G03F1/32;G03F1/56;G03F1/80;G03F1/60;G03F1/00 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 在包括透明基底和其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯中,该半色调相移膜由硅基材料组成,该硅基材料由硅、氮和0‑6at%的氧构成,该半色调相移膜具有至少2.4的折射率n、0.4‑0.7的消光系数k为和40‑67nm的厚度。该半色调相移膜足够薄从而对光掩模图案形成有利,并且具有对化学清洁的耐化学品性,并保持对于相移功能所需的相移和对于半色调功能所需的透射率。 | ||
| 搜索关键词: | 色调 相移 掩模坯 图案 曝光 方法 | ||
【主权项】:
半色调相移掩模坯,包括透明基底和其上的半色调相移膜,该半色调相移膜具有相对于波长至多200nm的光的3‑12%的透射率和150‑200°的相移,其中所述半色调相移膜为由硅基材料组成的单层,该硅基材料由硅和氮构成,或者该硅基材料由硅、氮和氧构成且氧含量为至多6at%,所述单层具有至少2.4的折射率n和0.4‑0.7的消光系数k;或者所述半色调相移膜为包括由硅基材料组成的至少一个层的多层膜,该硅基材料由硅和氮构成,或者该硅基材料由硅、氮和氧构成且氧含量为至多6at%,所述至少一个层具有至少2.4的折射率n和0.4‑0.7的消光系数k,并且所述半色调相移膜具有至多67nm的厚度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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