[发明专利]半色调相移掩模坯,半色调相移掩模,和图案曝光方法有效

专利信息
申请号: 201610195910.9 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN106019809B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 高坂卓郎;稻月判臣 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F1/29 分类号: G03F1/29;G03F1/32;G03F1/56;G03F1/80;G03F1/60;G03F1/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 杜丽利
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在包括透明基底和其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯中,该半色调相移膜由硅基材料组成,该硅基材料由硅、氮和0‑6at%的氧构成,该半色调相移膜具有至少2.4的折射率n、0.4‑0.7的消光系数k为和40‑67nm的厚度。该半色调相移膜足够薄从而对光掩模图案形成有利,并且具有对化学清洁的耐化学品性,并保持对于相移功能所需的相移和对于半色调功能所需的透射率。
搜索关键词: 色调 相移 掩模坯 图案 曝光 方法
【主权项】:
半色调相移掩模坯,包括透明基底和其上的半色调相移膜,该半色调相移膜具有相对于波长至多200nm的光的3‑12%的透射率和150‑200°的相移,其中所述半色调相移膜为由硅基材料组成的单层,该硅基材料由硅和氮构成,或者该硅基材料由硅、氮和氧构成且氧含量为至多6at%,所述单层具有至少2.4的折射率n和0.4‑0.7的消光系数k;或者所述半色调相移膜为包括由硅基材料组成的至少一个层的多层膜,该硅基材料由硅和氮构成,或者该硅基材料由硅、氮和氧构成且氧含量为至多6at%,所述至少一个层具有至少2.4的折射率n和0.4‑0.7的消光系数k,并且所述半色调相移膜具有至多67nm的厚度。
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