[发明专利]晶体管装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610191444.7 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106024890A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 曹庆;程慷果;李正文;刘菲;章贞 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;赵国荣 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种晶体管装置和制作晶体管装置的方法。该晶体管装置包括：布置在基板上的鳍结构的阵列，每个所述鳍结构是第一等电位点材料和第二等电位点材料的垂直交替堆叠体，所述第一等电位点材料具有第一等电位点，所述第二等电位点材料具有与所述第一等电位点不同的第二等电位点；一个或多个碳纳米管，悬在所述鳍结构之间，并且接触所述鳍结构中的所述第二等电位点材料的侧表面；栅极，围绕所述一个或多个碳纳米管；以及源极接触和漏极接触，布置在所述鳍结构上，其中每个所述鳍结构具有梯形形状或相对于所述基板以大约90°取向的平行侧边。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管装置，包括：布置在基板上的鳍结构的阵列，每个所述鳍结构是第一等电位点材料和第二等电位点材料的垂直交替堆叠体，所述第一等电位点材料具有第一等电位点，所述第二等电位点材料具有与所述第一等电位点不同的第二等电位点；一个或多个碳纳米管，悬在所述鳍结构之间，并且接触所述鳍结构中的所述第二等电位点材料的侧表面；栅极，围绕所述一个或多个碳纳米管；以及源极接触和漏极接触，布置在所述鳍结构上，其中每个所述鳍结构具有梯形形状或相对于所述基板以大约90°取向的平行侧边。
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