[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；扫描线；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有背沟道刻蚀结构，所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层，所述半导体层中的半导体材料是锡硅氧化物；源极；以及漏极；其中，在所述背沟道刻蚀结构中，所述源极和所述漏极均设置于所述半导体层上，并且所述源极和所述漏极均与所述半导体层相接触；绝缘层，所述绝缘层设置于所述栅极与所述半导体层之间；数据线，所述数据线与所述源极连接；电极层，所述电极层与所述漏极连接。本发明能有效提高薄膜晶体管中的半导体层的耐刻蚀性，能够有效保护所述薄膜晶体管中的背沟道，以防止所述背沟道损伤，从而提高所述薄膜晶体管的稳定性。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；扫描线；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有背沟道刻蚀结构，所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层，所述半导体层中的半导体材料是锡硅氧化物；源极；以及漏极；其中，在所述背沟道刻蚀结构中，所述源极和所述漏极均设置于所述半导体层上，并且所述源极和所述漏极均与所述半导体层相接触；绝缘层，所述绝缘层设置于所述栅极与所述半导体层之间；数据线，所述数据线与所述源极连接；电极层，所述电极层与所述漏极连接；所述半导体材料还掺有氮，所述半导体材料的成分为SixSn(1‑x)O(2‑y)Nz，其中，0.001≤x≤0.15，y>0，0≤z≤0.01。