[发明专利]超晶格结构有效
申请号: | 201610189330.9 | 申请日: | 2016-03-30 |
公开(公告)号: | CN106025018B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | M·舒尔;R·格斯卡;杨锦伟;A·道博林斯基 | 申请(专利权)人: | 传感器电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/04 | 分类号: | H01L33/04;H01L33/00;H01L33/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 美国南*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及超晶格结构。提供了包括多个周期的超晶格层,多个周期中的每一个由多个子层形成。每个子层包括与(一个或者多个)相邻子层不同的组成并且包括与(一个或者多个)相邻子层的极化相反的极化。以这种方式,分别相邻子层的极化彼此补偿。此外,超晶格层可以被配置为对诸如紫外辐射的辐射至少部分透明。 | ||
搜索关键词: | 晶格 结构 | ||
【主权项】:
一种制造结构的方法,所述方法包括:基于超晶格层的多个周期的至少一个子层的目标总极化,为所述至少一个子层选择目标III族氮化物组成,其中所述总极化由相应的至少一个子层内存在的压电极化和自发极化引起,其中目标III族氮化物组成包括铝和铟,并且其中所述选择包括基于所述目标总极化选择铝和铟的摩尔分数;直接在第一III族氮化物层上生长所述超晶格层,其中生长所述多个周期中的每一个包括:生长具有第一III族氮化物组成和第一总极化的第一子层;生长与所述第一子层紧密相邻的第二子层,所述第二子层具有不同于所述第一III族氮化物组成的第二III族氮化物组成和第二总极化,其中所述第一III族氮化物组成或者所述第二III族氮化物组成中的一个是所述目标III族氮化物组成。
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