[发明专利]用于二维电子气结构的退火炉有效
| 申请号: | 201610184903.9 | 申请日: | 2016-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN105826223B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
| 发明(设计)人: | 王钦;刘广同 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/28;H01L21/321;H01L29/06;H01L29/43;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人: | 黄小临,冯玉清 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及用于二维电子气结构的退火炉。一种退火炉包括炉体,包括基座;罩,气密地覆盖基座以限定退火空间;样品台,设置在退火空间中以支承退火样品;加热部件,设置在样品台内部;温度传感器,设置在样品台上;以及气路限定部件,具有筒状并且设置为围绕样品台,气体入口和气体出口之一位于气路限定部件围绕的区域中,另一个位于其外;以及控制系统,包括电源,用于给所述加热部件提供加热功率;以及温度控制部件,用于基于温度控制信息和所述温度传感器感测到的退火温度来生成温度控制信号,并且使用所述温度控制信号来控制所述电源提供给所述加热部件的加热功率。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 二维 电子 结构 退火炉 | ||
【主权项】:
一种退火炉,包括:炉体,包括:基座;罩,气密地覆盖所述基座以限定退火空间,所述基座上设置有用于向所述退火空间充入气体的气体入口和用于从所述退火空间排出气体的气体出口;样品台,设置在所述退火空间中且在所述基座上以用于支承退火样品;加热部件,设置在所述样品台内部以加热所述样品台;温度传感器,设置在所述样品台上以感测退火温度;以及气路限定部件,具有筒状并且设置为在所述基座上围绕所述样品台,所述气体入口和所述气体出口之一位于所述基座的被所述气路限定部件围绕的部分中,所述气体入口和所述气体出口中的另一个位于所述基座的被所述气路限定部件围绕的部分外;以及控制系统,包括:电源,用于给所述加热部件提供加热功率;以及温度控制部件,用于基于温度控制信息和所述温度传感器感测到的退火温度来生成温度控制信号,并且使用所述温度控制信号来控制所述电源提供给所述加热部件的加热功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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