[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610182265.7 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN105609565B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;津吹将志;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者‑25℃至‑150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有晶体管，其中沟道形成在包含结晶部的氧化物半导体层中，所述氧化物半导体层具有铟、镓和锌，所述晶体管的沟道长度为3μm以上10μm以下，所述晶体管在室温以上180℃以下的温度范围中，阈值电压的变动幅度为3V以下。
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