[发明专利]一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610182132.X | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105742369A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 魏雄邦;全勇;肖伦;陈志;刘腾飞;庞韩英 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体薄膜晶体管技术领域。所述薄膜晶体管自下而上依次为柔性衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述栅电极和源漏电极为银纳米线薄膜，所述绝缘层为PMMA薄膜。本发明薄膜晶体管采用PMMA作为绝缘层、Ag纳米线薄膜作为导电电极层，利用PMMA薄膜耐弯折高绝缘的特点、以及Ag纳米线薄膜耐弯折高电导率的特点，克服了薄膜晶体管在弯折条件下易损坏的缺陷，使其能应用于大面积柔性显示、电子纸、传感器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 柔性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管，自下而上依次为柔性衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述栅电极和源漏电极为银纳米线薄膜，所述绝缘层为PMMA薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610182132.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种背接触晶硅电池及其制备方法
- 下一篇：鳍型场效应晶体管的鳍及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
