[发明专利]一种基于RRAM的非易失FPGA编程点电路及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201610181424.1 申请日: 2016-03-28
公开(公告)号: CN105869672B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 孙华军;陆家豪;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 向彬
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于RRAM的新型非易失FPGA编程点电路,该编程点电路采用一种由两个RRAM元件同向串联组成的新颖结构,通过本发明,充分利用RRAM自身所具备的存储与计算结合的能力来实现配置、非易失以及掉电迅速恢复的功能,所设计的非易失FPGA编程点电路不仅具备传统FPGA编程点电路的可配置功能,而且具有非易失以及掉电后迅速恢复的特点,适用于电源不稳定的应用领域,实现电路数据的掉电恢复和运算的持续进行。
搜索关键词: 一种 基于 rram 非易失 fpga 编程 电路 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种基于RRAM的非易失FPGA编程点电路,其特征在于,该编程点电路包括由第一RRAM元件与第二RRAM元件同向串联组成的RRAM结构,还包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和PMOS管共同构成的反相器,其中:所述第一NMOS管的栅极与工作信号VW的反相信号相连,其漏极与RRAM结构中第一RRAM元件的正极相连,其源极与配置信号输入端相连;所述第二NMOS管的栅极与工作信号VW的反相信号相连,其漏极与RRAM结构的中间端点相连;所述第三NMOS管的栅极与工作信号VW的反相信号相连,其漏极与RRAM结构中第二RRAM元件的负极相连,其源极与配置信号输入端相连;所述第四NMOS管的栅极和漏极与工作信号输入端相连,其源极与RRAM结构中第一RRAM元件的正极相连;所述第五NMOS管的栅极与工作信号输入端相连,其漏极接地,其源极与RRAM结构中第二RRAM元件的负极相连;所述第六NMOS管的栅极与工作信号输入端相连,其漏极与输出端VZ相连,其源极与RRAM结构的中间端点相连;所述反相器的输入端作为配置信号VCON的输入端,输出端与第二NMOS管的源极相连。
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