[发明专利]用于纳米线CMOS技术的用于多栅极功函数的技术

摘要

在一个方面中，提供了一种形成具有多个晶体管的CMOS器件的方法，多个晶体管具有不同的Vt，该方法包括：在晶片上形成纳米线和焊盘，其中纳米线被悬置在晶片的氧化物层上方的变化高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个纳米线的一部分的晶体管的栅极堆叠：i)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上沉积保形栅极电介质；ii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形栅极电介质上沉积保形功函数金属，其中基于纳米线在氧化物层上方悬置的变化的高度而改变沉积在纳米线周围的保形功函数金属的量；以及iii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形功函数金属上沉积保形多晶硅层。

主权项

1.一种形成互补金属氧化物半导体CMOS器件的方法，所述器件包括具有不同阈值电压的多个基于纳米线的晶体管，所述方法包括如下步骤：提供晶片，所述晶片包括在衬底上的氧化物层；在所述晶片上形成纳米线和焊盘，其中所述焊盘附接至所述纳米线的相对端部并且将所述纳米线锚定至所述晶片，以及其中所述纳米线悬置在所述氧化物层上方的变化的高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个所述纳米线的一部分的所述基于纳米线的晶体管的栅极堆叠：i)在所述纳米线周围并且在所述纳米线下方的所述晶片上沉积保形栅极电介质；ii)在所述纳米线周围并且在所述纳米线下方的所述晶片上的所述保形栅极电介质上沉积保形功函数金属，其中基于所述纳米线悬置在所述氧化物层上方的所述变化的高度而改变围绕所述纳米线沉积的保形功函数金属的量；以及iii)在所述纳米线周围并在所述纳米线下方的所述晶片上的所述保形功函数金属上沉积保形多晶硅层，其中所述纳米线的由所述栅极堆叠至少部分地围绕的所述一部分用作所述基于纳米线的晶体管的沟道区域，其中所述纳米线的从所述栅极堆叠延伸出的部分以及所述焊盘用作所述基于纳米线的晶体管的源极区域和漏极区域，以及其中所述基于纳米线的晶体管基于围绕所述纳米线沉积的所述保形功函数金属的变化的量而具有不同的阈值电压。