[发明专利]一种基底缺陷检测装置及检测方法在审
| 申请号： | 201610178525.3 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230648A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘昊;张鹏黎 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基底缺陷检测装置及检测方法，该装置包括光源，提供照明辐射光；承载台，用于承载待测基底，并带动待测基底运动；成像单元，将照明辐射光汇聚到待测基底上，并收集经待测基底反射的光；多色光分离单元，将成像单元收集的反射光分离为若干个独立的波段；若干探测单元，用于一对一采集各所述波段的图像信息；以及处理器，用于对采集到的图像信息进行分析计算，得到缺陷测量结果。本发明中，采用多色光分离单元将照明辐射光分离为若干个独立的波段，并利用若干探测单元分别采集各波段的图像信息，用户可以根据待测基底的工艺特性，无需进行波长切换，就可以实时进行最优波段照明的对比度图像选择，从而提高了缺陷检测的工艺适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 缺陷 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基底缺陷检测装置，其特征在于，包括：光源，提供照明辐射光；承载台，用于承载待测基底，并带动所述待测基底运动；成像单元，将所述照明辐射光汇聚到所述待测基底上，并收集经所述待测基底反射的光；多色光分离单元，将所述成像单元收集的反射光分离为若干个独立的波段；若干探测单元，用于一对一采集各所述波段的图像信息；以及处理器，用于对采集到的图像信息进行分析计算，得到缺陷测量结果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备（集团）股份有限公司，未经上海微电子装备（集团）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610178525.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶粒检测方法
- 下一篇：剖面加工观察方法、剖面加工观察装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
